Учёные Национального исследовательского университета «МИЭТ» начали разработку структур на основе материалов фазовой памяти, которые в совокупности с оптическими межсоединениями позволят создать в будущем оптическую память нового поколения.

В июле 2017 года молодой коллектив ученных под руководством доцента Института перспективных материалов и технологий НИУ МИЭТ Петра Лазаренко получил грант Российского научного фонда на проведение исследований свойств функциональных тонких пленок различных материалов под воздействием лазерного излучения (проект № 17−79−10465).

Предварительные результаты экспериментов подтвердили возможность построения полностью оптической памяти: учёным удалось произвести запись и стирание информации в структурах на основе тонких пленок фазовой памяти с помощью фемтосекундных импульсов лазерного излучения.

Большинство современных устройств, в том числе и запоминающих, сейчас работают на электрических импульсах, что существенно ограничивает дальнейшее повышение их быстродействия, помехоустойчивости и радиационной стойкости.

Планируется, что создание полностью оптической энергонезависимой памяти в совокупности с переходом к обмену информацией между логическими элементами интегральных схем с помощью лазерного излучения позволит существенно приблизить момент изготовления оптических компьютеров без оптоэлектронных преобразований.

Разработчики утверждают, что на создание прототипа энергонезависимой памяти потребуется три года. «За это время нам предстоит отработать технологический маршрут формирования оптической памяти, разработать конструктивно-технологические решения, топологию и конструкторскую документацию, изготовить сам прототип и провести его испытания», — говорит доцент Института перспективных материалов и технологий НИУ МИЭТ Пётр Лазаренко, добавляя, что на создание полноценного чипа, который можно выпустить на рынок, потребуется еще несколько лет.