Долгое время производители микросхем умещали максимум элементов на крошечной площади. Но с каждым уплотнением взять следующий рубеж становится все тяжелее. Компания Samsung представила технологию чипов, которая позволит и дальше наращивать производительность, не упираясь в физические ограничения.

Вместо уменьшения транзисторов инженеры предлагают многослойное размещение компонентов с помощью технологии 3D-TSV (Through Silicon Via). Так, разработка позволит соединить до 12 микросхем DRAM (динамическая память с произвольным доступом) на плате толщиной 720 нм.

Нововведение существенно упростит обмен данными между микросхемами, оптимизирует потребление энергии и уменьшит размеры чипов.

Архитектура 3D-TSV продлит актуальность закона Мура: согласно ему, плотность транзисторов удваивается каждые 24 месяца. Последние несколько лет производителям все сложнее уменьшать техпроцесс из-за физических ограничений, однако размещение микросхем друг над другом позволит совершить рывок в развитии микроэлектроники.

Похожие решения используют и другие производители. Например, компания Intel предлагает делать процессоры «трехмерными», размещая процессоры, память, графические ядра и нейромодули слоями на одном чипе.